Samsung может получить преимущество в поставках памяти NVHBM для будущих ускорителей NVIDIA

Samsung может оказаться в наиболее выгодной позиции среди производителей памяти в борьбе за поставки нового типа HBM для NVIDIA. Речь идет о NVHBM — кастомной высокоскоростной памяти, которую компания NVIDIA представила в рамках своей стратегии NVLink Fusion и планирует использовать в будущих AI-системах.

По данным Seoul Economic Daily, NVIDIA рассматривает Samsung как одного из ключевых партнеров для разработки специальной версии HBM4E. Однако важно учитывать, что информация о конкретных поставках пока основана на данных отраслевых источников: официально NVIDIA не объявляла Samsung утвержденным поставщиком NVHBM для Rubin Ultra.

Почему Samsung получила преимущество

Главная особенность NVHBM заключается не только в самой памяти. NVIDIA переносит контроллер памяти в базовый кристалл HBM, а также использует кастомную физическую инфраструктуру для соединения памяти с вычислительным чипом. По данным NVIDIA, такой подход может обеспечить до 30% более высокую пропускную способность и до 15% меньшее энергопотребление по сравнению со стандартной HBM4E.

Именно здесь Samsung имеет потенциальное преимущество перед конкурентами. Компания объединяет производство DRAM, логических чипов, контрактное производство полупроводников и передовые технологии упаковки в рамках собственной производственной экосистемы. Это позволяет ей разрабатывать и выпускать ключевые компоненты кастомной HBM без такой же зависимости от сторонних фабрик.

Samsung уже имеет опыт работы с NVIDIA над текущим поколением AI-платформы Vera Rubin. Компания начала массовое производство HBM4 для этой платформы, а также ранее отправила заказчикам образцы 12-слойной HBM4E со скоростью до 16 Гбит/с на контакт.

NVIDIA меняет подход к HBM

Современные решения HBM обычно увеличивают объем памяти за счет роста количества слоев в одном стеке. Однако переход к 12- и особенно 16-слойным конструкциям усложняет производство, повышает требования к точности сборки и может негативно влиять на выход годных кристаллов.

По данным отраслевых источников, NVIDIA попросила Samsung разработать для NVHBM более компактную 8-слойную версию HBM4E. Высота такого стека примерно на треть меньше, чем у 12-слойного варианта, что потенциально упрощает производство и позволяет увеличить объемы поставок.

При этом NVIDIA планирует компенсировать уменьшение объема памяти за счет более высокой скорости. Для специальной версии Samsung, по данным Seoul Economic Daily, рассматривается скорость от 17 до 18 Гбит/с на контакт — выше, чем у первых образцов HBM4E.

Такой подход особенно важен на фоне дефицита памяти. Аналитики TrendForce ранее сообщили, что NVIDIA уже начала оценивать несколько вариантов конфигурации Rubin Ultra, включая 8-слойную HBM4E и более традиционные варианты HBM4. Окончательная спецификация будущей платформы пока не утверждена.

Ставка на скорость вместо максимального объема

Снижение количества слоев означает меньший объем памяти в каждом отдельном HBM-стеке. Однако NVIDIA делает ставку на масштабирование всей вычислительной системы через NVLink.

Вместо максимального объема памяти на одном ускорителе компания может компенсировать это за счет объединения сотен GPU в единую высокоскоростную систему. Чем быстрее работает память и межсоединение между ускорителями, тем выше суммарная производительность всего AI-кластера.

Для сравнения, текущая архитектура Rubin уже использует HBM4 с пропускной способностью памяти до 22 ТБ/с на GPU и поддерживает до 288 ГБ памяти. NVIDIA также существенно увеличила возможности межсоединения GPU с помощью NVLink шестого поколения.

В случае с Rubin Ultra компания, судя по доступной информации, пытается решить сразу две проблемы: сохранить высокий рост производительности и одновременно уменьшить зависимость от сложных 12- и 16-слойных HBM-конфигураций, производство которых становится все более сложным.

Что это означает для Samsung

Если Samsung действительно получит крупный заказ на NVHBM, компания сможет укрепить позиции на рынке AI-памяти, где в предыдущие годы лидирующие позиции занимали SK hynix и Micron.

Потенциальное преимущество Samsung заключается в возможности контролировать большую часть производственной цепочки:

• разрабатывать и производить DRAM;
• создавать логические базовые кристаллы;
• использовать собственные мощности контрактного производства;
• выполнять передовую упаковку полупроводников.

Однако говорить о заключенном контракте пока преждевременно. NVIDIA продолжает оценивать различные варианты конфигурации памяти для Rubin Ultra, а сама архитектура еще находится в разработке. По текущему графику новое поколение AI-ускорителей ожидается в 2027 году.

Для украинского рынка эта новость напрямую не изменит ситуацию с потребительской электроникой Samsung. Но она хорошо показывает более широкий тренд: спрос на инфраструктуру для искусственного интеллекта все сильнее влияет на весь рынок памяти. Производители направляют мощности на дорогие HBM-чипы, тогда как дефицит DRAM, по прогнозам TrendForce, может сохраняться и в 2027 году. Это потенциально способно влиять не только на стоимость серверной инфраструктуры, но и на общий баланс предложения памяти для других категорий электроники.

Теги:

Источник