Kioxia придумала, как победить дефицит DRAM — помогут быстрые SSD, но не обычным ПК

Kioxia ведёт разработку решений, призванных сократить зависимость центров обработки данных от дорогостоящей и дефицитной DRAM — связанные с искусственным интеллектом рабочие нагрузки требуют всё больших объёмов памяти.

В помощь студенту: обзор российских ИИ-сервисов для учёбы и закрепления знаний

10 флагманских процессоров Intel за 10 лет

Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Компьютер месяца — сентябрь 2026 года

Источник изображения: kioxia.com

Стратегия японской компании включает выпуск SSD с интерфейсом PCIe 6.0 и внедрение технологии расширения памяти CXL, хотя в Kioxia пока не делают прямых заявлений, что эти продукты полностью вытеснят DRAM. Производитель показал SSD серии GP1 с интерфейсом PCIe 6.0 и протоколом NVMe, разработанные, чтобы обеспечить сверхвысокую интенсивность операций ввода-вывода в инфраструктуре ИИ. Эти накопители поддерживают прямое подключение к графическим процессорам, что позволяет сократить объём передачи данных по стандартным системным шинам при интенсивных вычислительных нагрузках.

Компания также представила SSD корпоративного класса CM10 и предназначенные для ЦОД накопители серии NX1 с поддержкой жидкостного охлаждения. В первых используется технология Kioxia BiCS FLASH десятого поколения; вторые имеют формфактор E1.S и поддерживают интерфейс PCIe 5.0. Эти продукты ориентированы на ЦОД, где важны повышение производительности и улучшение теплового режима. Перенос части нагрузок на флеш-накопители поможет смягчить проблему дефицита оперативной памяти и роста затрат, повлиявшую на мировые цепочки поставок.

Kioxia намерена использовать быстродействующую память NAND в качестве прямой альтернативы DRAM, но не её замены. Одной из наиболее значимых разработок является представленная ранее серия модулей расширения памяти XL1 с поддержкой CXL, разработанных на основе технологии XL FLASH с низкими показателями задержки. CXL позволяет накопителям более тесно взаимодействовать с процессорами, создавая дополнительный объём памяти без необходимости перемещать каждый байт данных в DRAM. Сочетание высокоскоростной NAND с контроллером CXL позволяет более чем десятикратно сократить задержку при чтении данных по сравнению с традиционными решениями на основе NAND. XL1 позиционируется как решение, занимающее промежуточное положение между традиционной DRAM и обычными SSD по показателям производительности и стоимости.

Частичная замена DRAM на модули CXL поможет удвоить объёмы памяти и на 30 % повысить производительность систем. Это важно, потому что NAND по своей природе медленнее DRAM, а значит, полная замена привела бы к снижению производительности в чувствительных к задержкам приложениях. Стратегия Kioxia предполагает дополнение DRAM, а не её полное исключение из конфигураций ИИ-серверов.

Было интересно?
Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про искусственный интеллект

Источник