Крупнейший в мире производитель чипов памяти Samsung разработал первый в мире прототип 900-слойного чипа памяти, сообщает ETNews — проект призван закрепить лидерство корейского технологического гиганта в данном сегменте.
Содержание статьи
- 1 Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
- 2 От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте
- 3 Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android
- 4 72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
- 5 Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
- 6 Компьютер месяца — май 2026 года
- 7 Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
- 8 Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone
Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте
Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android
72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
Компьютер месяца — май 2026 года
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone
Источник изображения: Samsung
В прототипе использована технология Cell Multi-Bonding (CMB), которая помогла установить две 450-слойные пластины ячеек на одном чипе. Многослойная структура флеш-памяти повышает плотность хранения данных и способствует снижению потребления энергии. Такие конфигурации считаются преимуществом в рабочих нагрузках искусственного интеллекта.
По направлению многослойных чипов NAND мировым лидером считается SK hynix, у которой есть 321-слойные микросхемы. Но Samsung, очевидно, переходит в более сильную позицию: она готовится к массовому выпуску 400-слойных чипов NAND, а на этапе исследований достигла рубежа в 900 слоёв.
Samsung первая в мире ещё в 2013 году выпустила на рынок чипы 3D V-NAND. Поначалу она использовала производственный процесс, предусматривающий сверление и укладку компонентов за один этап. Но по мере увеличения высоты укладки столкнулась с такими проблемами как деформация пластин и смещение слоёв. Их она решила за счёт усовершенствованной конструкции верхнего зажима и технологии коррекции наложения.
Отставание от Samsung и SK hynix быстро сокращает китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) — она уже наладила массовое производство 294-слойных чипов NAND. Этому способствовали значительные госинвестиции и расширенная локализация производственного оборудования. Рост конкуренции побудил Samsung ускорить разработку технологии 900-слойной памяти, чтобы сохранить своё преимущество в долгосрочной перспективе.
