Южнокорейская компания Samsung Electronics воспользовалась трибуной отраслевой конференции Semicon Taiwan 2026 для рассказа о своих планах в сфере разработки и выпуска новых типов скоростной памяти. В ближайшей перспективе упор будет сделан на HBM5, zHBM и zNAND-O.
Содержание статьи
- 1 Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку
- 2 Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700
- 3 Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)
- 4 Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine
- 5 10 флагманских процессоров Intel за 10 лет
- 6 Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?
- 7 Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)
- 8 Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги
Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку
Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700
Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)
Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine
10 флагманских процессоров Intel за 10 лет
Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?
Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)
Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги
Источник изображения: Samsung Electronics
Корпоративный вице-президент по планированию в сфере производства памяти Чан Сок Цой (Jangseok Choi) заявил, что HBM5 по сравнению с HBM4E удвоит быстродействие в чистом виде, а удельная производительность в пересчёте на ватт потребляемой мощности вырастет на 20 %. Тепловое сопротивление тоже снизится на 20 %, позволяя стекам памяти HBM5 лучше переносить высокие температуры, с которыми им придётся сталкиваться в процессе эксплуатации в составе ускорителей вычислений.
Базовый кристалл HBM5 будет выпускаться по 2-нм техпроцессу, тогда как HBM4 и HBM4E будут довольствоваться 4-нм. Массовое производство HBM5 компания Samsung начнёт примерно в 2028 году, со временем увеличив количество ярусов в стеке с 12 до 20 штук. Ещё более совершенным типом скоростной памяти станет zHBM, которая поднимет быстродействие в восемь раз по сравнению с HBM4E, а удельная производительность на ватт вырастет в три раза. Тепловое сопротивление zHBM удастся снизить на 75–90 %. Особенностью компоновки zHBM является размещение стека памяти непосредственно на сопутствующем процессоре, а не на подложке по соседству. Выпуск такой памяти будет налажен уже после 2029 года.
Твердотельная память в исполнении Samsung тоже будет эволюционировать, в 2028 году компания начнёт поставлять образцы микросхем zNAND-O, которая увеличит плотность на бит в десять раз по сравнению с DRAM, а пропускная способность на операциях чтения вырастет в семь раз по сравнению с классической NAND, как и энергетическая эффективность. Эта память будет сочетать в себе преимущества DRAM и NAND, активно применяясь в вычислительной инфраструктуре ИИ.
В целом, в эволюционном развитии микросхем памяти Samsung будет делать упор на увеличение ёмкости, повышение вычислительного КПД, пропускной способности и энергетической эффективности. Трёхмерная компоновка микросхем, оптимизация архитектуры, сокращение путей передачи информации и снижение энергопотребления позволят Samsung достичь указанных целей.
Было интересно?
Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it
