Samsung и SK hynix собрались выпускать более современную NAND в Китае — без нарушения санкций США

Samsung и SK hynix модернизируют свои заводы в Китае, чтобы выпускать более современную NAND-память, несмотря на экспортные ограничения США. Samsung рассчитывает наладить в Сиане производство 286-слойных чипов, а SK hynix намерена перейти в Даляне на выпуск памяти как минимум со 240 слоями. При этом Samsung обязуется перед США не расширять имеющиеся мощности, а SK hynix этого принципа придерживается по условиям договорённостей с властями США от 2022 года.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Гид по выбору складного смартфона в 2026 году

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Источник изображения: Samsung Electronics

Значительную часть своей твердотельной памяти южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix продолжают производить на территории КНР. Существуют ограничения на поставки определённых видов импортируемого оборудования для выпуска памяти на территорию Китая, поэтому модернизировать имеющиеся производства этим компаниям будет непросто, но они всё же намерены это сделать.

Помимо высокого спроса на память NAND на мировом рынке, актуальность такой модернизации повышается и активностью китайских производителей, которые уже наступают на пятки южнокорейским и американскому конкурентам. Правила экспортного контроля США ограничивают ассортимент поставляемого в Китай оборудования для выпуска памяти с 2022 года. Поставки оборудования американского происхождения в Китай сейчас требуют от Samsung и SK hynix ежегодного получения экспортных лицензий в США. В прошлом году власти США дали понять, что не собираются выдавать лицензии, которые позволили бы зарубежным производителям чипов модернизировать технологии их выпуска и расширять мощности на территории Китая.

Как отмечает Reuters, представители Samsung подтвердили, что модернизация китайского предприятия компании в Сиане осуществляется, причём делается это при тесных консультациях с Вашингтоном. SK hynix также подтвердила, что устанавливает оборудование на своём предприятии в китайском Даляне при условии консультаций с правительством США. Свои производственные планы относительно данных площадок обе компании раскрывать не стали.

Собственные источники Reuters сообщили, что оба южнокорейских производителя намереваются наладить выпуск в Китае памяти типа NAND с количеством слоёв более 200 штук. Предприятие Samsung в Сиане сейчас способно выпускать чипы NAND с количеством слоёв около 200 штук. На эту площадку приходится около 40 % мировых объёмов производства NAND данной компании. По имеющимся данным, после модернизации предприятие в Сиане сможет выпускать 286-слойные микросхемы V9 NAND, к декабрю этого года ежемесячный их тираж будет составлять 5000 кремниевых пластин, а к декабрю следующего года он увеличится до 40 000 штук в месяц.

Samsung сообщила, что её планы по модернизации соответствуют правилам экспортного контроля США. Эти мероприятия направлены на более полное удовлетворение растущего спроса на мировом рынке, включая и США. Компания не расширяет своё производство в Китае и не строит новые предприятия в этой стране. Данное условие было одним из важных, оговорённых с властями США ещё в 2022 году.

SK hynix в Даляне собирается перейти на выпуск чипов NAND с количеством слоёв не менее 240 штук. Сейчас на своей китайской площадке компания выпускает 192-слойную память. Местное предприятие досталось южнокорейскому производителю в 2021 году по итогам сделки с компанией Intel, которой ранее принадлежало. По неофициальным данным, сейчас формально власти США позволяют SK hynix выпускать в Даляне память с количеством слоёв до 240 штук включительно. В случае необходимости в Вашингтоне будет запрошено разрешение на разработку памяти с количеством слоёв более 300 штук. Возможно, в дальнейшем это поможет организовать производство памяти в США. Предприятие по выпуску NAND силами SK hynix или родственной Solidigm стало предметом переговоров с администрацией президента Дональда Трампа.

По данным Omdia, во втором квартале 38,5 % китайского рынка NAND контролировала местная компания YMTC, которая по итогам всего 2025 года ограничивалась долей в 28 %. При этом позиции Samsung на китайском рынке NAND ослабли с 36 до 33,5 %, а SK hynix скатилась с 20 до 17 %. Компания YMTC в основном выпускает память со 160 и 232 слоями, но в небольших количествах производит и 294-слойную NAND. Она готовится наладить выпуск памяти с более чем 300 слоями. При этом за пределами Китая Samsung предлагает 286-слойную память, а также располагает прототипами памяти NAND с более чем 400 слоями. SK hynix за пределами Китая предлагает память типа NAND с количеством слоёв до 321 штуки включительно.

Было интересно?
Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it

Источник