Еврокомиссия одобрила выделение €319 млн государственных субсидий на модернизацию предприятия Infineon Technologies в австрийском Филлахе. Компания намерена первой в мире наладить массовое производство силовых полупроводниковых компонентов на основе нитрида галлия (GaN) с использованием 300-мм пластин. Общий объем инвестиций в проект составит около €1,1 млрд.
Содержание статьи
- 1 Гид по выбору складного смартфона в 2026 году
- 2 Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8
- 3 Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти
- 4 Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered
- 5 Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2026 год)
- 6 Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)
- 7 Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги
- 8 Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700
- 9 Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном
Гид по выбору складного смартфона в 2026 году
Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8
Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти
Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered
Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2026 год)
Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)
Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги
Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700
Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном
Источник изображения: Infineon Technologies
Средства направят на расширение действующих производственных мощностей Infineon в федеральной земле Каринтия. Проект получил название Empowering Fab и предусматривает переход от выпуска GaN-компонентов на пластинах диаметром 200 мм к более крупным 300-мм пластинам. Как сообщает сама Infineon, первые изделия с модернизированного производства должны поступить на рынок к концу 2027 года. При этом инвестиционная программа рассчитана до 2034 года.
Технологию обработки 300-мм пластин для силовой электроники на основе нитрида галлия Infineon освоила еще в 2024 году. До этого подобные компоненты изготавливались преимущественно на пластинах диаметром 200 мм. Увеличение диаметра позволяет разместить на одной пластине примерно в 2,3 раза больше чипов. Благодаря этому производитель рассчитывает снизить себестоимость изделий и повысить эффективность использования оборудования.
Нитрид галлия рассматривается как альтернатива кремнию в силовой электронике. Компоненты на его основе способны работать с высокой частотой переключения и обеспечивать меньшие потери энергии при преобразовании электричества. Это позволяет создавать более компактные блоки питания, снижать тепловыделение и уменьшать требования к охлаждению. Такие решения востребованы в серверном оборудовании, центрах обработки данных для искусственного интеллекта, электромобилях, робототехнике и системах возобновляемой энергетики.
Одним из направлений применения GaN-компонентов Infineon считает энергоснабжение ИИ-серверов, где увеличение вычислительных мощностей сопровождается ростом потребления электричества. По мере распространения мощных ускорителей производителям оборудования приходится повышать эффективность преобразования энергии и сокращать потери в системах питания. Аналогичные требования предъявляются к зарядным устройствам и промышленным преобразователям.
Генеральный директор Infineon Йохен Ханебек (Jochen Hanebeck) заявил, что переход к массовому выпуску на 300-мм пластинах позволит компании расширить использование нитрида галлия в силовой электронике. По оценке аналитиков Yole Group, на которую ссылается производитель, мировой рынок силовых GaN-компонентов может достичь $3,5 млрд к 2031 году. Среднегодовые темпы роста в период с 2025 по 2031 год оцениваются примерно в 35 %.
Одобренная Еврокомиссией субсидия будет предоставлена в рамках европейского Закона о чипах (European Chips Act). Получение средств предусматривает ряд обязательств. Infineon должна расширить сотрудничество с университетами, научными учреждениями, стартапами и небольшими технологическими компаниями, предоставляя им доступ к лабораториям, программным и аппаратным средствам. Кроме того, предусмотрено участие австрийского государства в распределении возможной дополнительной прибыли от проекта сверх установленных прогнозов.
В Еврокомиссии считают, что без государственной поддержки Infineon не стала бы осуществлять эти инвестиции в Европе. При рассмотрении заявки регулятор также оценивал влияние субсидии на конкуренцию внутри ЕС. В итоге финансирование признали необходимым для расширения европейского производства полупроводников и снижения зависимости от зарубежных поставщиков.
Было интересно?
Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it
