Китайская CXMT первой в мире начнёт поставлять передовую DDR5 с вертикальными транзисторами в конце этого года

Компании CXMT удалось первой среди мировых конкурентов добиться прогресса в организации массового производства памяти DRAM с вертикальной ориентацией транзисторов. Она начнёт выпускать её уже к концу текущего года, ориентируясь на серверный рынок.

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: CXMT

Имя китайской компании CXMT в западной части мирового информационного пространства окружено неоднозначными сюжетами с точки зрения источников получаемых ею технологий, но практические результаты говорят сами за себя. Этот китайский производитель уже занимает четвёртое место в мире среди поставщиков DRAM, и также присматривается к рынку твердотельной памяти. Теперь она заявила о своих амбициях в сегменте серверной DRAM.

Как сообщает BigGo Finance, президент CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) на четвёртой Конференции по чипам и чиплетам сообщил вчера, что эта компания к концу текущего года наладит поставки передовой DDR5 собственной разработки в исполнении RDIMM для серверных систем. Новейшая архитектура 4F2 подразумевает вертикальную компоновку транзисторов, обеспечивая лучший контроль за эксплуатационными параметрами затвора, снижая токи утечки и борясь с так называемыми «эффектами короткого канала». Помимо прочего, вертикальная ориентация транзисторов в кристалле памяти позволяет повысить плотность их размещения, увеличивая ёмкость чипа.

Величина 4F2 указывает, что одна ячейка памяти занимает лишь в четыре раза бóльшую площадь по сравнению с квадратом размера минимального элемента ячейки. Массово выпускаемая сейчас память характеризуется параметром 6F2, занимая больше площади на кристалле в пересчёте на одну ячейку. Размещая больше транзисторов на единице площади, CXMT сможет выпускать более ёмкую память.

На первых этапах освоения архитектуры 4F2 компания CXMT полагалась на планарные транзисторы и унифицированную литографию, и такие прототипы уступали массовым решениям класса 6F2. Переход к третьему измерению в случае с 4F2 позволил развести процессы изготовления DRAM и КМОП-структур и перейти к гибридному сращиванию кремниевых пластин для организации высокоскоростных соединений. Плотность логических элементов и ячеек памяти стало возможно оптимизировать независимо друг от друга, и свойственные монолитному дизайну ограничения при этом отпали.

CXMT располагает более чем 300 семействами патентов, связанных с архитектурой 4F2. Ориентация на продвижение памяти этого поколения в серверном сегменте подчёркивает амбиции компании по завоеванию рынка компонентов для инфраструктуры ЦОД. Тем более, что наличие подобного приоритета уже прослеживалось в первом полугодии.

В августе этого года CXMT объявила о начале массового производства памяти типа LPDDR6, подчеркнув, что сделала это первой в мире. В сентябре она заявила о начале производства DRAM пятого поколения (G5). Появление в её арсенале востребованной в серверном сегменте памяти с архитектурой 4F2 позволит дополнительно укрепить рыночные позиции в условиях бума ИИ. Конкурирующие Samsung, SK hynix и Micron тоже осваивают архитектуру 4F2 или свои трёхмерные аналоги, но никто из них пока не приступил к массовому производству соответствующих изделий.

Было интересно?
Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it

Источник