Китайские учёные нашли путь к 3-нм чипам в обход санкций и EUV-литографии

Китайские исследователи наметили путь к выпуску транзисторов класса 3 нм с использованием глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV) вместо более современной EUV. Разработка пока находится на ранней стадии и не готова к массовому производству, но показывает, что Китай продолжает искать способы выпускать передовые полупроводники без доступа к новейшему западному оборудованию.

В помощь студенту: обзор российских ИИ-сервисов для учёбы и закрепления знаний

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

10 флагманских процессоров Intel за 10 лет

Компьютер месяца — сентябрь 2026 года

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Обзор смартфона Google Pixel 11 Pro: когда надо выпустить хоть что-то

Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?

Источник изображения: SMIC

Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) разработал предварительный технологический процесс для изготовления транзисторов с круговым затвором (gate-all-around, GAA) исключительно с помощью доступного DUV-оборудования. Об этом сообщила газета South China Morning Post со ссылкой на выступление главного инженера института Е Тяньчуня (Ye Tianchun).

GAA представляет собой не замену EUV-литографии, а конструкцию транзистора, в которой затвор окружает канал со всех сторон. Получать структуры, соответствующие классу 3 нм, при помощи DUV позволяет многократное формирование рисунка на пластине. Такой подход требует большего количества экспозиций, масок и технологических операций, из-за чего усложняет производство, повышает его стоимость и создаёт дополнительные сложности с точностью совмещения слоёв и выходом годных кристаллов.

Работа ведётся на фоне ограничений на поставки оборудования в Китай. Компания ASML не может продавать китайским заказчикам литографические установки EUV, которые производители используют для экономически эффективного выпуска наиболее передовых чипов. Теоретически некоторые критические слои можно формировать и с помощью DUV, однако многократная экспозиция делает техпроцесс значительно сложнее и дороже. GAA-транзисторы уже применяются в серийном производстве: Samsung начала выпускать 3-нм чипы с такой конструкцией в 2022 году, а TSMC использует её в своём 2-нм техпроцессе N2.

В Китайской академии наук подчёркивают, что разработка пока далека от массового производства. По словам Е Тяньчуня, её перспективы станут понятнее только после испытаний пластин на реальных производственных линиях. Даже успешное изготовление отдельных GAA-транзисторов ещё не означает готовности полноценного техпроцесса: необходимо освоить формирование межсоединений и других слоёв, добиться приемлемого выхода годных кристаллов и обеспечить стабильность производства.

В 2025 году исследователи академии также представили твердотельный источник когерентного излучения с длиной волны 193 нм, соответствующей применяемой в современной DUV-литографии. Разработка рассматривается как возможная основа для компонентов будущих литографических систем, но сама по себе не является готовой заменой промышленным источникам излучения и сканерам ASML.

Собственный путь к дальнейшему масштабированию чипов развивает и Huawei Technologies. В мае компания представила концепцию Tau Scaling Law, предусматривающую повышение плотности вычислений за счёт архитектурных изменений и так называемого временного масштабирования. Huawei рассчитывает, что к 2031 году её высокопроизводительные процессоры смогут достичь плотности транзисторов, сопоставимой с ожидаемыми показателями 1,4-нм техпроцесса. Речь при этом идёт об эквивалентной плотности, а не об освоении физического производства по нормам 1,4 нм.

Было интересно?
Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it

Источник