После проблем с производительностью памяти HBM3E компания Samsung, по данным отраслевых источников, вернулась к активному развитию линейки высокоскоростной памяти для ИИ-сегмента. Всего через несколько месяцев после начала поставок шестого поколения HBM4 для клиентов вроде AMD и NVIDIA компания уже отправила первые образцы следующего поколения — HBM4E — крупным заказчикам. Содержание статьи HBM4E построена на 12-слойной архитектуре и, согласно заявлению Samsung, обеспечивает заметный прирост производительности по сравнению с HBM4. Речь идет о: Такие характеристики делают новую память ориентированной в первую очередь на задачи искусственного интеллекта, где критически важны как скорость обработки данных, так и энергопотребление. В основе HBM4E используется 10-нм DRAM-процесс шестого поколения (1c), а также базовый кристалл Samsung Foundry, выполненный по 4-нм техпроцессу. Компания утверждает, что сочетание этих технологий позволило улучшить выход годной продукции и снизить производственные риски. Отдельное внимание уделено тепловым характеристикам: термостойкость увеличена более чем на 14%, что положительно влияет на отвод тепла и общую надежность работы памяти под высокой нагрузкой. Samsung планирует выпускать HBM4E в нескольких конфигурациях. Базовая версия предлагает 48 ГБ памяти в 12-слойной сборке, что примерно на 30% больше, чем у HBM4. В дальнейшем линейка будет расширена: В компании отмечают, что обратная связь по HBM4 оказалась в целом положительной, а спрос со стороны рынка искусственного интеллекта продолжает стремительно расти. В связи с этим Samsung намерена обеспечить стабильные и масштабируемые поставки высокоскоростной памяти для ключевых партнеров и дата-центров по всему миру. Теги:
Память нового поколения с повышенной скоростью и эффективностью
Улучшенный техпроцесс и повышенная надежность
Конфигурации до 64 ГБ и ставка на рынок ИИ
Фокус на стабильность поставок для ИИ-индустрии


