В конце мая Samsung Electronics объявила о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, опередив тем самым основного конкурента в лице SK hynix, с которым была не в силах справиться в рамках жизненного цикла HBM3E. Вторую из компаний это явно не устраивает, поэтому свои образцы HBM4E она намеревается начать поставлять с опережением графика.
Содержание статьи
- 1 72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
- 2 Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
- 3 Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро
- 4 Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
- 5 Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
- 6 Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
Источник изображения: SK hynix
По информации южнокорейских СМИ, первоначально SK hynix рассчитывала начать поставки образцов HBM4E во втором полугодии, но теперь она прилагает усилия к началу поставок либо в текущем месяце, либо в июле самое позднее. Формально, это подразумевает некоторое ускорение поставок относительно изначального графика. Если учесть, что HBM4E сама по себе подразумевает глубокую адаптацию памяти под нужды конкретных заказчиков, снабжать их образцами памяти нужно начинать заранее, чтобы быстрее выйти на серийные поставки в будущем.
Скорее всего, HBM4E будет использоваться в ускорителях Nvidia семейства Rubin Ultra, которые выйдут на рынок в следующем году. На каждый графический процессор будет приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E, поэтому общая потребность в таких чипах увеличится. При производстве своей HBM4E компания SK hynix собирается применять техпроцесс 1c для кристаллов DRAM и 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов. Для сравнения, Samsung Electronics способна выпускать HBM4E исключительно собственными силами, но базовые кристаллы собирается выпускать по более зрелому 4-нм техпроцессу. Обе компании готовы предлагать HBM4E в 12-ярусном исполнении со скоростями передачи данных от 14 до 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. В одном стеке HBM4E может содержаться до 48 Гбайт памяти.
